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萧铭还真的没有说错，徐利民的团队按照实验指南进行操作没有问题，但是将实验详情转化为理论知识，的确还差那么一两点东西。

萧铭和徐利民花了整整一周的时间修改论文，在对“色心”（“电子坑”）的描述上尤为详尽。

此外，萧铭还和研究团队一起用超级小初探索出碳化硅晶体折叠结构和捕获电子之间的数学关系，并且建立了辐射量、维度、色心、电流四者之间的数学公式。

建设性的提出了色心常数k。

色心常数k是一种半导体材料能够被人工雕刻出最大的色心数，和半导体材料本身的物理性质有关，和你用什么工艺什么技术无关。

数学公式和色心常数的提出将会对未来微核物理产生极大的影响，只要研究人员沿着论文的这条路去走，就会发现和利用更多的微核材料，生产性能更加优异的微核电池。

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